1. पावर घनत्व: माइक्रो इन्वर्टर को उच्च पावर घनत्व की आवश्यकता होती है, और समग्र सर्किट में एक छोटी मात्रा होनी चाहिए।
2, रूपांतरण दक्षता: क्योंकि वर्तमान फोटोवोल्टिक सेल ऊर्जा रूपांतरण दक्षता अधिक नहीं है, इसलिए फोटोवोल्टिक ग्रिड से जुड़े उपकरणों की दक्षता में प्रत्येक 1% की वृद्धि महान आर्थिक मूल्य ला सकती है।
3, विश्वसनीयता: केंद्रीकृत ग्रिड से जुड़े इनवर्टर का औसत प्रथम विफलता समय (MTFF) आमतौर पर 5 वर्ष है, और औसत विफलता समय (MTBF) लगभग 10 वर्ष है। फोटोवोल्टिक कोशिकाओं का जीवन 20 वर्ष से अधिक है, इसलिए कार्यक्रम के लाभों को प्रतिबिंबित करने के लिए माइक्रो इनवर्टर का जीवन डिजाइन सूचकांक फोटोवोल्टिक कोशिकाओं के बराबर होना चाहिए। इसका MTBF 20 वर्ष से अधिक होना चाहिए, और MTFF 10 वर्ष से अधिक होना चाहिए।
4, लागत: एसी मॉड्यूल सिस्टम को प्रत्येक फोटोवोल्टिक पैनल के लिए एक माइक्रो इन्वर्टर के साथ कॉन्फ़िगर किया गया है, जिसके लिए आवश्यक है कि माइक्रो इन्वर्टर की लागत कम हो, और सर्किट में कम डिवाइस हों। इसका नियंत्रक सभी नियंत्रण, संचार और कंप्यूटिंग कार्यों को संभाल सकता है, और इसकी कीमत कम होनी चाहिए।
वर्तमान में, पारंपरिक फोटोवोल्टिक ग्रिड {{0}कनेक्टेड सिस्टम के अनुसंधान ने बहुत सारे परिणाम प्राप्त किए हैं, जिनका उपयोग माइक्रो{1}इन्वर्टर ग्रिड{{2}कनेक्टेड सिस्टम के डिजाइन में संदर्भ के लिए किया जा सकता है। इस पेपर में, विभिन्न माइक्रोइनवर्टर के मुख्य सर्किट का अध्ययन और विश्लेषण किया जाएगा
